Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > ZXMN6A08E6TC
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1202662ZXMN6A08E6TC Image.Diodes Incorporated

ZXMN6A08E6TC

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    ZXMN6A08E6TC
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    ZXMN6A08E6TC.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    SOT-26
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80 mOhm @ 4.8A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    1.1W (Ta)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    SOT-23-6
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    459pF @ 40V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    5.8nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    60V
  • Подробное описание
    N-Channel 60V 2.8A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    2.8A (Ta)

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с ZXMN6A08E6TC.
ZXMN6A09KTC

ZXMN6A09KTC

Описание: MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A08GQTA

ZXMN6A08GQTA

Описание: MOSFET N-CH 60VSOT223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30FHTA

Описание: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A09DN8TC

ZXMN6A09DN8TC

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A07FTC

ZXMN6A07FTC

Описание: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A08KTC

ZXMN6A08KTC

Описание: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A09DN8TA

ZXMN6A09DN8TA

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A08E6TA

ZXMN6A08E6TA

Описание: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A08GTA

ZXMN6A08GTA

Описание: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A07FTA

ZXMN6A07FTA

Описание: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A08E6QTA

ZXMN6A08E6QTA

Описание: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06GTA

Описание: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A08GQTC

ZXMN6A08GQTC

Описание: MOSFETN-CH 60VSOT223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A09KQTC

ZXMN6A09KQTC

Описание: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN4A06KTC

ZXMN4A06KTC

Описание: MOSFET N-CH 40V 7.2A DPAK

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A07ZTA

ZXMN6A07ZTA

Описание: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN3G32DN8TA

ZXMN3G32DN8TA

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A10N8TA

ZXMN6A10N8TA

Описание: MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN3F31DN8TA

ZXMN3F31DN8TA

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTA

Описание: MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.