Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > ZXMN6A25DN8TA
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
3700174ZXMN6A25DN8TA Image.Diodes Incorporated

ZXMN6A25DN8TA

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
500+
$0.771
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    ZXMN6A25DN8TA
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    ZXMN6A25DN8TA.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-SOP
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50 mOhm @ 3.6A, 10V
  • Мощность - Макс
    1.8W
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Другие названия
    ZXMN6A25DN8TR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    20 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    1063pF @ 30V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    20.4nC @ 10V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Характеристика
    Logic Level Gate
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    60V
  • Подробное описание
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.8A 1.8W Surface Mount 8-SOP
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    3.8A

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с ZXMN6A25DN8TA.
ZXMN6A09KTC

ZXMN6A09KTC

Описание: MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A11GTA

ZXMN6A11GTA

Описание: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A25N8TA

ZXMN6A25N8TA

Описание: MOSFET N-CH 60V 8SO

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A25G

ZXMN6A25G

Описание: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMP10A13FQTA

ZXMP10A13FQTA

Описание: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTA

Описание: MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA

Описание: MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN7A11KTC

ZXMN7A11KTC

Описание: MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMNS3BM832TA

ZXMNS3BM832TA

Описание: MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A10N8TA

ZXMN6A10N8TA

Описание: MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A11GTC

ZXMN6A11GTC

Описание: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A11DN8TC

ZXMN6A11DN8TC

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMP10A13FTA

ZXMP10A13FTA

Описание: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A25KTC

ZXMN6A25KTC

Описание: MOSFET N-CH 60V DPAK

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A09DN8TC

ZXMN6A09DN8TC

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A09KQTC

ZXMN6A09KQTC

Описание: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A11DN8TA

ZXMN6A11DN8TA

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA

Описание: MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A25K

ZXMN6A25K

Описание: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A25GTA

ZXMN6A25GTA

Описание: MOSFET N-CH 60V SOT223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.