Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > ZXMN6A25N8TA
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6644510ZXMN6A25N8TA Image.Diodes Incorporated

ZXMN6A25N8TA

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
500+
$0.677
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    ZXMN6A25N8TA
  • Изготовитель / Производитель
    Diodes Incorporated
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 60V 8SO
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    ZXMN6A25N8TA.pdf
  • Модель ECAD
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-SO
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50 mOhm @ 3.6A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    1.56W (Ta)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Другие названия
    ZXMN6A25N8TADI
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    20 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    1063pF @ 30V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    20.4nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    60V
  • Подробное описание
    N-Channel 60V 4.3A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    4.3A (Ta)

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip объявляет о 500 увольнениях,...

2024/12/4

Quanta: AI -спрос продолжает остават...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung значительно снижает исполь...

2024/12/2

Vishay инвестирует 51 миллион фунто...

2024/11/29
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с ZXMN6A25N8TA.
ZXMN6A25GTA

ZXMN6A25GTA

Описание: MOSFET N-CH 60V SOT223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA

Описание: MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMP10A17E6TA

ZXMP10A17E6TA

Описание: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMP10A13FTA

ZXMP10A13FTA

Описание: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A11DN8TA

ZXMN6A11DN8TA

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A11GTC

ZXMN6A11GTC

Описание: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN7A11KTC

ZXMN7A11KTC

Описание: MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMP10A16KTC

ZXMP10A16KTC

Описание: MOSFET P-CH 100V 3A DPAK

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMP10A17GQTC

ZXMP10A17GQTC

Описание: MOSFET PCH 100V 1.7A SOT223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMP10A13FQTA

ZXMP10A13FQTA

Описание: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A25G

ZXMN6A25G

Описание: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A25K

ZXMN6A25K

Описание: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMP10A17E6QTA

ZXMP10A17E6QTA

Описание: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A25KTC

ZXMN6A25KTC

Описание: MOSFET N-CH 60V DPAK

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A25DN8TA

ZXMN6A25DN8TA

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A11DN8TC

ZXMN6A11DN8TC

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMP10A17GQTA

ZXMP10A17GQTA

Описание: MOSFET P-CH 100V SOT223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMNS3BM832TA

ZXMNS3BM832TA

Описание: MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA

Описание: MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
ZXMN6A11GTA

ZXMN6A11GTA

Описание: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиНовостиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.