2581902

SI2316BDS-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

3000+

$0.25

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

SI2316BDS-T1-GE3
Изготовитель / Производитель

Electro-Films (EFI) / Vishay
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

SI2316BDS-T1-GE3.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

SOT-23-3 (TO-236)
Серии

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 3.9A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Другие названия

SI2316BDS-T1-GE3TR
SI2316BDST1GE3
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

33 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

350pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

9.6nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

30V
Подробное описание

N-Channel 30V 4.5A (Tc) 1.25W (Ta), 1.66W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

4.5A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с SI2316BDS-T1-GE3.

SI2312BDS-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

SI2316BDS-T1-GE3

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

Антропик получает еще 4 миллиард...

Полу: продажи IC увеличиваются на...

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

Последняя кремниевая оптическа...

Индустрия восстанавливается ме...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Поставщик: большое количество к...

Тайвань, выходной стоимость пол...

Расширение производства панеле...

Amazon увеличивает усилия по созда...

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

Выберите язык

Текущий язык