Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SI4435FDY-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5564079

SI4435FDY-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.62
10+
$0.483
100+
$0.332
500+
$0.227
1000+
$0.171
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SI4435FDY-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-SOIC
  • Серии
    TrenchFET® Gen III
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    19 mOhm @ 9A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    4.8W (Tc)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Другие названия
    SI4435FDY-T1-GE3CT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    32 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    1500pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • Тип FET
    P-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    P-Channel 30V 12.6A (Tc) 4.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    12.6A (Tc)
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

Описание: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
SI4435DYTR

SI4435DYTR

Описание: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
SI4438DY-T1-E3

SI4438DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4435DY

SI4435DY

Описание: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
SI4438-C2A-GMR

SI4438-C2A-GMR

Описание: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4435DY

SI4435DY

Описание: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4438DY-T1-GE3

SI4438DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4442DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4438-B1C-FMR

SI4438-B1C-FMR

Описание: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4442DY-T1-GE3

SI4442DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4434DY-T1-E3

SI4434DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4435DYPBF

SI4435DYPBF

Описание: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI4438-C2A-GM

SI4438-C2A-GM

Описание: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI4438-B1C-FM

SI4438-B1C-FM

Описание: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти