International Rectifier (Infineon Technologies)

SI4435DY

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

SI4435DY
Изготовитель / Производитель

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Содержит несоответствие свинца / RoHS
Спецификация

SI4435DY.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

8-SO
Серии

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 8A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

2.5W (Ta)
упаковка

Tube
Упаковка /

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Другие названия

*SI4435DY
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

2320pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

60nC @ 10V
Тип FET

P-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

30V
Подробное описание

P-Channel 30V 8A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

8A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с SI4435DY.

SI4438-B1C-FMR

Описание: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

SI4435DY

Онлайн - запрос

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

Выберите язык

Текущий язык