SI5475BDC-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

SI5475BDC-T1-GE3
Изготовитель / Производитель

Electro-Films (EFI) / Vishay
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

SI5475BDC-T1-GE3.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (макс.)

±8V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

1206-8 ChipFET™
Серии

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 5.6A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс)

2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

8-SMD, Flat Lead
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1400pF @ 6V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

40nC @ 8V
Тип FET

P-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

12V
Подробное описание

P-Channel 12V 6A (Ta) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

6A (Ta)

Ниже приведены продукты, связанные с SI5475BDC-T1-GE3.

SI5473DC-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

SI5475BDC-T1-GE3

Онлайн - запрос

AMD запускает строительство втор...

Графическая карта NVIDIA RTX 5090 имее...

Антропик получает еще 4 миллиард...

Полу: продажи IC увеличиваются на...

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

Последняя кремниевая оптическа...

Индустрия восстанавливается ме...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Поставщик: большое количество к...

Тайвань, выходной стоимость пол...

Расширение производства панеле...

Выберите язык

Текущий язык