SI5480DU-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

SI5480DU-T1-GE3
Изготовитель / Производитель

Electro-Films (EFI) / Vishay
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

SI5480DU-T1-GE3.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

PowerPAK® ChipFet Single
Серии

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 7.2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

3.1W (Ta), 31W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

PowerPAK® ChipFET™ Single
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1230pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

34nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

30V
Подробное описание

N-Channel 30V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Single
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

12A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с SI5480DU-T1-GE3.

SI5475DC-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

SI5480DU-T1-GE3

Онлайн - запрос

AMD запускает строительство втор...

Графическая карта NVIDIA RTX 5090 имее...

Антропик получает еще 4 миллиард...

Полу: продажи IC увеличиваются на...

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

Последняя кремниевая оптическа...

Индустрия восстанавливается ме...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Поставщик: большое количество к...

Тайвань, выходной стоимость пол...

Расширение производства панеле...

Выберите язык

Текущий язык