Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SI7104DN-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1335776SI7104DN-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7104DN-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$1.149
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SI7104DN-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1.8V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±12V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PowerPAK® 1212-8
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7 mOhm @ 26.1A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    3.8W (Ta), 52W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    PowerPAK® 1212-8
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    27 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    2800pF @ 6V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    70nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    12V
  • Подробное описание
    N-Channel 12V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    35A (Tc)
SI7107DN-T1-E3

SI7107DN-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7060-EVB

SI7060-EVB

Описание: SI7060 EVALUATION BOARD

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI7110DN-T1-E3

SI7110DN-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7107DN-T1-GE3

SI7107DN-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7102DN-T1-GE3

SI7102DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7102DN-T1-E3

SI7102DN-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7106DN-T1-GE3

SI7106DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7060-B-03-IVR

SI7060-B-03-IVR

Описание: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI7100DN-T1-GE3

SI7100DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7110DN-T1-GE3

SI7110DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7060-B-03-IV

SI7060-B-03-IV

Описание: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI7112DN-T1-E3

SI7112DN-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7060-B-02-IVR

SI7060-B-02-IVR

Описание: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI7108DN-T1-E3

SI7108DN-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7104DN-T1-E3

SI7104DN-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7108DN-T1-GE3

SI7108DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7100DN-T1-E3

SI7100DN-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7111EDN-T1-GE3

SI7111EDN-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAK1212

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7101DN-T1-GE3

SI7101DN-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7106DN-T1-E3

SI7106DN-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти