SI7107DN-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

SI7107DN-T1-GE3
Изготовитель / Производитель

Electro-Films (EFI) / Vishay
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

SI7107DN-T1-GE3.pdf
Модель ECAD
Vgs (й) (Max) @ Id

1V @ 450µA
Vgs (макс.)

±8V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

PowerPAK® 1212-8
Серии

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.8 mOhm @ 15.3A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс)

1.5W (Ta)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

PowerPAK® 1212-8
Другие названия

SI7107DN-T1-GE3TR
SI7107DNT1GE3
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

44nC @ 4.5V
Тип FET

P-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

20V
Подробное описание

P-Channel 20V 9.8A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

9.8A (Ta)

Связанные новости
Перевозка
Способы оплаты

Мы установили долгосрочные партнерские отношения с крупными поставщиками глобальной логистики, предлагая гибкие и эффективные решения для доставки, адаптированные к вашим уникальным потребностям.В зависимости от размера, веса и пункта назначения вашего заказа, мы выбираем наиболее подходящего перевозчика.Мы также предоставляем услуги отслеживания логистики в реальном времени, позволяя клиентам понимать местоположение и статус своих товаров в любое время. Если у вас есть конкретные международные маршруты доставки или назначенный экспедитор, свяжитесь с нашей командой по продажам-мы рады удовлетворить ваши требования.

Мы поддерживаем несколько методов оплаты, включая кредитные карты, проводные переводы и другие варианты, и принимаем большинство валют.Для заказов, размещенных в долларах США, доступны дополнительные варианты оплаты.Для получения более подробной информации о методах и процедурах оплаты, пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам.

Ниже приведены продукты, связанные с SI7107DN-T1-GE3.

SI7102DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay

Быть в наличии

SI7107DN-T1-GE3

Онлайн - запрос

Чип TSMC 2NM будет производиться во ...

Сильный спрос на аналоговые чип...

INATRONICS 2025: Electronics & Component Industries

Учреждение: Ожидается, что самор...

NEPCON 2025 Unveils Next-Gen Tech

Генеральный директор IBM предупр...

EMK 2025 Highlights Innovation in Electronics Manufacturing

Samsung Electro Mechanics Обновление ключев...

STMicroelectronics Strengthens Technology Portfolio: From M...

2025 Глобальный полупроводниковы...

SK Hynix планирует инвестировать в ...

Министерство торговли США выпус...

Выберите язык

Текущий язык