Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SI7113DN-T1-E3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4822019SI7113DN-T1-E3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7113DN-T1-E3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$3.45
10+
$3.118
100+
$2.505
500+
$1.949
1000+
$1.614
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SI7113DN-T1-E3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PowerPAK® 1212-8
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    134 mOhm @ 4A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • упаковка
    Original-Reel®
  • Упаковка /
    PowerPAK® 1212-8
  • Другие названия
    SI7113DN-T1-E3DKR
  • Рабочая Температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    33 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    1480pF @ 50V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    55nC @ 10V
  • Тип FET
    P-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    100V
  • Подробное описание
    P-Channel 100V 13.2A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    13.2A (Tc)
SI7116DN-T1-GE3

SI7116DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7108DN-T1-E3

SI7108DN-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7114ADN-T1-GE3

SI7114ADN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7108DN-T1-GE3

SI7108DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7112DN-T1-E3

SI7112DN-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7110DN-T1-GE3

SI7110DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7111EDN-T1-GE3

SI7111EDN-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAK1212

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7107DN-T1-E3

SI7107DN-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7117DN-T1-E3

SI7117DN-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7110DN-T1-E3

SI7110DN-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7116DN-T1-E3

SI7116DN-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7107DN-T1-GE3

SI7107DN-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7113DN-T1-GE3

SI7113DN-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7113ADN-T1-GE3

SI7113ADN-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 100V 10.8A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7114DN-T1-GE3

SI7114DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7112DN-T1-GE3

SI7112DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7117DN-T1-GE3

SI7117DN-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7115DN-T1-GE3

SI7115DN-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7114DN-T1-E3

SI7114DN-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI7115DN-T1-E3

SI7115DN-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти