Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SI8429DB-T1-E1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2882485SI8429DB-T1-E1 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI8429DB-T1-E1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.483
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SI8429DB-T1-E1
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    800mV @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±5V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    4-Microfoot
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    4-XFBGA, CSPBGA
  • Другие названия
    SI8429DB-T1-E1TR
    SI8429DBT1E1
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    33 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    1640pF @ 4V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    26nC @ 5V
  • Тип FET
    P-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    8V
  • Подробное описание
    P-Channel 8V 11.7A (Tc) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    11.7A (Tc)
SI8423BB-D-ISR

SI8423BB-D-ISR

Описание: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI8430AB-D-IS

SI8430AB-D-IS

Описание: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI8423BB-D-IS

SI8423BB-D-IS

Описание: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI8424DB-T1-E1

SI8424DB-T1-E1

Описание: MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI8430AB-D-ISR

SI8430AB-D-ISR

Описание: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI8430BB-C-IS1

SI8430BB-C-IS1

Описание: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI8430AB-C-IS1

SI8430AB-C-IS1

Описание: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI8430AB-C-IS1R

SI8430AB-C-IS1R

Описание: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI8430-C-IS

SI8430-C-IS

Описание: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI8423BD-B-IS

SI8423BD-B-IS

Описание: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI8424CDB-T1-E1

SI8424CDB-T1-E1

Описание: MOSFET N-CH 8V MICROFOOT

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI8430AB-D-IS1R

SI8430AB-D-IS1R

Описание: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI8425DB-T1-E1

SI8425DB-T1-E1

Описание: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SI8423BD-D-ISR

SI8423BD-D-ISR

Описание: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI8430AB-D-IS1

SI8430AB-D-IS1

Описание: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI8430-B-IS

SI8430-B-IS

Описание: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI8423BD-D-IS

SI8423BD-D-IS

Описание: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI8423BD-B-ISR

SI8423BD-B-ISR

Описание: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI8430-A-IS

SI8430-A-IS

Описание: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SI8423BB-B-ISR

SI8423BB-B-ISR

Описание: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти