Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SISB46DN-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2783735SISB46DN-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SISB46DN-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.376
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SISB46DN-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Поставщик Упаковка устройства
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.71 mOhm @ 5A, 10V
  • Мощность - Макс
    23W
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Другие названия
    SISB46DN-T1-GE3TR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    1100pF @ 20V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    11nC @ 4.5V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Характеристика
    Standard
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    40V
  • Подробное описание
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 34A (Tc) 23W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    34A (Tc)
SISA96DN-T1-GE3

SISA96DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA34DN-T1-GE3

SISA34DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISC06DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISC262SN06LX1SA1

SISC262SN06LX1SA1

Описание: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
SISA66DN-T1-GE3

SISA66DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISC29N20DX1SA1

SISC29N20DX1SA1

Описание: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISH129DN-T1-GE3

SISH129DN-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

Описание: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
SISA72DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA24DN-T1-GE3

SISA24DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3

Описание: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

Описание: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
SISC050N10DX1SA1

SISC050N10DX1SA1

Описание: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
SISH106DN-T1-GE3

SISH106DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISC624P06X3MA1

SISC624P06X3MA1

Описание: SMALL SIGNAL+P-CH

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти