SISH129DN-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

3000+

$0.433

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

SISH129DN-T1-GE3
Изготовитель / Производитель

Electro-Films (EFI) / Vishay
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

SISH129DN-T1-GE3.pdf
Модель ECAD
Vgs (й) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

PowerPAK® 1212-8SH
Серии

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.4 mOhm @ 14.4A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

PowerPAK® 1212-8SH
Другие названия

SISH129DN-T1-GE3TR
Рабочая Температура

-50°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

27 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

3345pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

71nC @ 10V
Тип FET

P-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

30V
Подробное описание

P-Channel 30V 14.4A (Ta), 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

14.4A (Ta), 35A (Tc)

Связанные новости
Перевозка
Способы оплаты

Мы установили долгосрочные партнерские отношения с крупными поставщиками глобальной логистики, предлагая гибкие и эффективные решения для доставки, адаптированные к вашим уникальным потребностям.В зависимости от размера, веса и пункта назначения вашего заказа, мы выбираем наиболее подходящего перевозчика.Мы также предоставляем услуги отслеживания логистики в реальном времени, позволяя клиентам понимать местоположение и статус своих товаров в любое время. Если у вас есть конкретные международные маршруты доставки или назначенный экспедитор, свяжитесь с нашей командой по продажам-мы рады удовлетворить ваши требования.

Мы поддерживаем несколько методов оплаты, включая кредитные карты, проводные переводы и другие варианты, и принимаем большинство валют.Для заказов, размещенных в долларах США, доступны дополнительные варианты оплаты.Для получения более подробной информации о методах и процедурах оплаты, пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам.

Ниже приведены продукты, связанные с SISH129DN-T1-GE3.

SISB46DN-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay

Быть в наличии

SISH129DN-T1-GE3

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

Контрпункт: К 2024 году глобальная...

Чип TSMC 2NM будет производиться во ...

Сильный спрос на аналоговые чип...

INATRONICS 2025: Electronics & Component Industries

Учреждение: Ожидается, что самор...

NEPCON 2025 Unveils Next-Gen Tech

Генеральный директор IBM предупр...

EMK 2025 Highlights Innovation in Electronics Manufacturing

Samsung Electro Mechanics Обновление ключев...

STMicroelectronics Strengthens Technology Portfolio: From M...

2025 Глобальный полупроводниковы...

SK Hynix планирует инвестировать в ...

Выберите язык

Текущий язык