Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SISS27DN-T1-GE3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
26792SISS27DN-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SISS27DN-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.356
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SISS27DN-T1-GE3
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • Серии
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.6 mOhm @ 15A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    4.8W (Ta), 57W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    8-PowerVDFN
  • Другие названия
    SISS27DN-T1-GE3TR
  • Рабочая Температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    32 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    5250pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    140nC @ 10V
  • Тип FET
    P-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    P-Channel 30V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    50A (Tc)
SISS65DN-T1-GE3

SISS65DN-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISS98DN-T1-GE3

SISS98DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISS71DN-T1-GE3

SISS71DN-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISS67DN-T1-GE3

SISS67DN-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISS04DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISNAP915EK

SISNAP915EK

Описание: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SISS64DN-T1-GE3

SISS64DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CHANNEL 30V 40A 1212-8S

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISS42DN-T1-GE3

SISS42DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISH617DN-T1-GE3

SISH617DN-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISS28DN-T1-GE3

SISS28DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISS10DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISS40DN-T1-GE3

SISS40DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISNAP915DK

SISNAP915DK

Описание: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

Производители: Energy Micro (Silicon Labs)
Быть в наличии
SISS70DN-T1-GE3

SISS70DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 125V

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISS26DN-T1-GE3

SISS26DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISS72DN-T1-GE3

SISS72DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 150V

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
SISS27ADN-T1-GE3

SISS27ADN-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти