SISS10DN-T1-GE3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

3000+

$0.472

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

SISS10DN-T1-GE3
Изготовитель / Производитель

Electro-Films (EFI) / Vishay
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

SISS10DN-T1-GE3.pdf
Модель ECAD
Vgs (й) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA
Vgs (макс.)

+20V, -16V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Серии

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.65 mOhm @ 15A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

57W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

8-PowerVDFN
Другие названия

SISS10DN-T1-GE3TR
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

3750pF @ 20V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

75nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

40V
Подробное описание

N-Channel 40V 60A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

60A (Tc)

Связанные новости
Перевозка
Способы оплаты

Мы установили долгосрочные партнерские отношения с крупными поставщиками глобальной логистики, предлагая гибкие и эффективные решения для доставки, адаптированные к вашим уникальным потребностям.В зависимости от размера, веса и пункта назначения вашего заказа, мы выбираем наиболее подходящего перевозчика.Мы также предоставляем услуги отслеживания логистики в реальном времени, позволяя клиентам понимать местоположение и статус своих товаров в любое время. Если у вас есть конкретные международные маршруты доставки или назначенный экспедитор, свяжитесь с нашей командой по продажам-мы рады удовлетворить ваши требования.

Мы поддерживаем несколько методов оплаты, включая кредитные карты, проводные переводы и другие варианты, и принимаем большинство валют.Для заказов, размещенных в долларах США, доступны дополнительные варианты оплаты.Для получения более подробной информации о методах и процедурах оплаты, пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам.

Ниже приведены продукты, связанные с SISS10DN-T1-GE3.

SISS26DN-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay

Быть в наличии

SISS10DN-T1-GE3

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

Чип TSMC 2NM будет производиться во ...

Сильный спрос на аналоговые чип...

INATRONICS 2025: Electronics & Component Industries

Учреждение: Ожидается, что самор...

NEPCON 2025 Unveils Next-Gen Tech

Генеральный директор IBM предупр...

EMK 2025 Highlights Innovation in Electronics Manufacturing

Samsung Electro Mechanics Обновление ключев...

STMicroelectronics Strengthens Technology Portfolio: From M...

2025 Глобальный полупроводниковы...

SK Hynix планирует инвестировать в ...

Министерство торговли США выпус...

Выберите язык

Текущий язык