Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > BSC019N04NSGATMA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
270295BSC019N04NSGATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC019N04NSGATMA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$1.76
10+
$1.561
100+
$1.234
500+
$0.957
1000+
$0.755
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    BSC019N04NSGATMA1
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4V @ 85µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PG-TDSON-8
  • Серии
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.9 mOhm @ 50A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    2.5W (Ta), 125W (Tc)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    8-PowerTDFN
  • Другие названия
    BSC019N04NS GCT
    BSC019N04NS GCT-ND
    BSC019N04NSGATMA1CT
    BSC019N04NSGATMA1CT-NDTR-ND
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    8800pF @ 20V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    108nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    40V
  • Подробное описание
    N-Channel 40V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    30A (Ta), 100A (Tc)
BSC022N03SG

BSC022N03SG

Описание: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC020N03MSGATMA1

BSC020N03MSGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC016N04LSGATMA1

BSC016N04LSGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC018N04LSGATMA1

BSC018N04LSGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC019N06NSATMA1

BSC019N06NSATMA1

Описание: DIFFERENTIATED MOSFETS

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC016N06NSATMA1

BSC016N06NSATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC019N04LSATMA1

BSC019N04LSATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC018NE2LSATMA1

BSC018NE2LSATMA1

Описание: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC019N04LSTATMA1

BSC019N04LSTATMA1

Описание: DIFFERENTIATED MOSFETS

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC020N03LSGATMA2

BSC020N03LSGATMA2

Описание: LV POWER MOS

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC017N04NSGATMA1

BSC017N04NSGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC018NE2LSIATMA1

BSC018NE2LSIATMA1

Описание: MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC024NE2LSATMA1

BSC024NE2LSATMA1

Описание: MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC022N03S

BSC022N03S

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC019N02KSGAUMA1

BSC019N02KSGAUMA1

Описание: MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC020N03LSGATMA1

BSC020N03LSGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC024N025S G

BSC024N025S G

Описание: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC016N06NSTATMA1

BSC016N06NSTATMA1

Описание: DIFFERENTIATED MOSFETS

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC022N04LSATMA1

BSC022N04LSATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
BSC020N025S G

BSC020N025S G

Описание: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти