Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > BSC022N03SG
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
3113874BSC022N03SG Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC022N03SG

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    BSC022N03SG
  • Изготовитель / Производитель
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    BSC022N03SG.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2V @ 110µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PG-TDSON-8
  • Серии
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.2 mOhm @ 50A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    2.8W (Ta), 104W (Tc)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    8-PowerTDFN
  • Другие названия
    BSC022N03SGINCT
    BSC022N03SGXTINCT
    BSC022N03SGXTINCT-ND
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    8290pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    64nC @ 5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 28A (Ta), 100A (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    28A (Ta), 100A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с BSC022N03SG.
BSC026N08NS5ATMA1

BSC026N08NS5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 80V 23A 8TDSON

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BSC027N03S G

BSC027N03S G

Описание: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BSC020N03MSGATMA1

BSC020N03MSGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BSC020N03LSGATMA1

BSC020N03LSGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BSC026N04LSATMA1

BSC026N04LSATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BSC025N03MSGATMA1

BSC025N03MSGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BSC025N03LSGATMA1

BSC025N03LSGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BSC019N04LSATMA1

BSC019N04LSATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BSC019N04NSGATMA1

BSC019N04NSGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BSC019N04LSTATMA1

BSC019N04LSTATMA1

Описание: DIFFERENTIATED MOSFETS

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BSC026N02KSGAUMA1

BSC026N02KSGAUMA1

Описание: MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BSC019N02KSGAUMA1

BSC019N02KSGAUMA1

Описание: MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BSC024NE2LSATMA1

BSC024NE2LSATMA1

Описание: MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BSC024N025S G

BSC024N025S G

Описание: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BSC026NE2LS5ATMA1

BSC026NE2LS5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BSC020N03LSGATMA2

BSC020N03LSGATMA2

Описание: LV POWER MOS

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BSC022N04LSATMA1

BSC022N04LSATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BSC019N06NSATMA1

BSC019N06NSATMA1

Описание: DIFFERENTIATED MOSFETS

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BSC022N03S

BSC022N03S

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
BSC020N025S G

BSC020N025S G

Описание: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.