Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPB029N06N3GE8187ATMA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1466155IPB029N06N3GE8187ATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1000+
$1.116
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPB029N06N3GE8187ATMA1
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4V @ 118µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    D²PAK (TO-263AB)
  • Серии
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.2 mOhm @ 100A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    188W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Другие названия
    IPB029N06N3 G E8187
    IPB029N06N3 G E8187-ND
    IPB029N06N3GE8187ATMA1TR
    SP000939334
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    13000pF @ 30V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    165nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    60V
  • Подробное описание
    N-Channel 60V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    120A (Tc)
IPB025N10N3GE8187ATMA1

IPB025N10N3GE8187ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB024N10N5ATMA1

IPB024N10N5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB035N08N3 G

IPB035N08N3 G

Описание: MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3

Производители: Infineon Technologies
Быть в наличии
IPB027N10N5ATMA1

IPB027N10N5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB032N10N5ATMA1

IPB032N10N5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB027N10N3GATMA1

IPB027N10N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB033N10N5LFATMA1

IPB033N10N5LFATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB023N06N3GATMA1

IPB023N06N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB025N08N3GATMA1

IPB025N08N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB029N06N3GATMA1

IPB029N06N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB034N03LGATMA1

IPB034N03LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB031N08N5ATMA1

IPB031N08N5ATMA1

Описание:

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB036N12N3GATMA1

IPB036N12N3GATMA1

Описание:

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB034N06L3GATMA1

IPB034N06L3GATMA1

Описание:

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB031NE7N3GATMA1

IPB031NE7N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB025N10N3GATMA1

IPB025N10N3GATMA1

Описание:

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB026N06NATMA1

IPB026N06NATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB034N06N3GATMA1

IPB034N06N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB024N08N5ATMA1

IPB024N08N5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB030N08N3GATMA1

IPB030N08N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти