Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPB035N08N3 G
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2477239IPB035N08N3 G Image.Infineon Technologies

IPB035N08N3 G

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1000+
$1.468
2000+
$1.367
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPB035N08N3 G
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Напряжение - испытания
    8110pF @ 40V
  • Напряжение - Разбивка
    PG-TO263-2
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3.5 mOhm @ 100A, 10V
  • Vgs (макс.)
    6V, 10V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Серии
    OptiMOS™
  • Статус RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100A (Tc)
  • поляризация
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Другие названия
    IPB035N08N3 G-ND
    IPB035N08N3G
    IPB035N08N3GATMA1
    SP000457588
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень влажности (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    12 Weeks
  • Номер детали производителя
    IPB035N08N3 G
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    117nC @ 10V
  • Тип IGBT
    ±20V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    3.5V @ 155µA
  • FET Характеристика
    N-Channel
  • Расширенное описание
    N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    -
  • Описание
    MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    80V
  • Коэффициент емкости
    214W (Tc)
IPB036N12N3GATMA1

IPB036N12N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB03N03LB

IPB03N03LB

Описание: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB03N03LA

IPB03N03LA

Описание: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB034N06N3GATMA1

IPB034N06N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB034N03LGATMA1

IPB034N03LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB032N10N5ATMA1

IPB032N10N5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB031NE7N3GATMA1

IPB031NE7N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB033N10N5LFATMA1

IPB033N10N5LFATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB030N08N3GATMA1

IPB030N08N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB038N12N3GATMA1

IPB038N12N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB037N06N3GATMA1

IPB037N06N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB031N08N5ATMA1

IPB031N08N5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB029N06N3GATMA1

IPB029N06N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB029N06N3GE8187ATMA1

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB039N10N3GE8187ATMA1

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB03N03LA G

IPB03N03LA G

Описание: MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB039N10N3GATMA1

IPB039N10N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB039N04LGATMA1

IPB039N04LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB034N06L3GATMA1

IPB034N06L3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB03N03LB G

IPB03N03LB G

Описание: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти