Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPB065N06L G
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
3900346IPB065N06L G Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB065N06L G

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPB065N06L G
  • Изготовитель / Производитель
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    IPB065N06L G.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2V @ 180µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PG-TO263-3-2
  • Серии
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.2 mOhm @ 80A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    250W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Другие названия
    IPB063N06LGXT
    IPB065N06L G-ND
    IPB065N06LG
    IPB065N06LGXT
    SP000204183
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    5100pF @ 30V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    157nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    60V
  • Подробное описание
    N-Channel 60V 80A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    80A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с IPB065N06L G.
IPB057N06NATMA1

IPB057N06NATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 17A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB06CN10N G

IPB06CN10N G

Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB06N03LAT

IPB06N03LAT

Описание: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB05N03LA

IPB05N03LA

Описание: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB065N03LGATMA1

IPB065N03LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB06N03LA G

IPB06N03LA G

Описание: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB06N03LB

IPB06N03LB

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB05N03LA G

IPB05N03LA G

Описание: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB06N03LA

IPB06N03LA

Описание: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB065N15N3GE8187ATMA1

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB060N15N5ATMA1

IPB060N15N5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB067N08N3GATMA1

IPB067N08N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB05CN10N G

IPB05CN10N G

Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB065N10N3GATMA1

IPB065N10N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB05N03LB G

IPB05N03LB G

Описание: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB065N15N3GATMA1

IPB065N15N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB06N03LB G

IPB06N03LB G

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB055N03LGATMA1

IPB055N03LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB05N03LB

IPB05N03LB

Описание: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB05N03LAT

IPB05N03LAT

Описание: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.