Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

*Наименование компании
*Имя
*Заголовок

*Адрес электронной почты
*Номер телефона

*Страна
*Контактное окно
*Дата события

*Сообщение

Для посетителей в Electronica 2024

Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.

Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPB065N15N3GE8187ATMA1

RFQs/ORDER (0)

русский

русский

3632945

IPB065N15N3GE8187ATMA1 Image.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

IPB065N15N3GE8187ATMA1
Изготовитель / Производитель

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

IPB065N15N3GE8187ATMA1.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 270µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

PG-TO263-7
Серии

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5 mOhm @ 100A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

300W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Другие названия

IPB065N15N3 G E8187
IPB065N15N3 G E8187-ND
IPB065N15N3 G E8187TR-ND
IPB065N15N3GE8187ATMA1TR
SP000939336
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

7300pF @ 75V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

93nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

8V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

150V
Подробное описание

N-Channel 150V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

130A (Tc)

Связанные новости
Перевозка
Способы оплаты

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

Перевозки

Оплата

Ниже приведены продукты, связанные с IPB065N15N3GE8187ATMA1.

IPB05N03LB

Описание: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)

Быть в наличии

IPB065N03LGATMA1

IPB065N03LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)

Быть в наличии

IPB06N03LA G

Описание: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)

Быть в наличии

IPB05N03LB G

Описание: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)

Быть в наличии

IPB065N10N3GATMA1

IPB065N10N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)

Быть в наличии

IPB06N03LB

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)

Быть в наличии

IPB05N03LA G

Описание: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)

Быть в наличии

IPB065N06L G

Описание: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)

Быть в наличии

IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)

Быть в наличии

IPB06N03LB G

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)

Быть в наличии

IPB06N03LAT

Описание: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)

Быть в наличии

IPB065N15N3GATMA1

IPB065N15N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)

Быть в наличии

IPB05N03LA

Описание: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)

Быть в наличии

IPB060N15N5ATMA1

IPB060N15N5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)

Быть в наличии

IPB067N08N3GATMA1

IPB067N08N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)

Быть в наличии

IPB070N06L G

Описание: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)

Быть в наличии

IPB06N03LA

Описание: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)

Быть в наличии

IPB06CN10N G

Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)

Быть в наличии

IPB072N15N3GE8187ATMA1

IPB072N15N3GE8187ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)

Быть в наличии

IPB05N03LAT

Описание: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)

Быть в наличии

Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.

Следить за нашим сайтом

Условия и условия Политика нарушения Запрос цитаты О нас Связаться с нами Карта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.