Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPB072N15N3GE8187ATMA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2257250IPB072N15N3GE8187ATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB072N15N3GE8187ATMA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPB072N15N3GE8187ATMA1
  • Изготовитель / Производитель
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    IPB072N15N3GE8187ATMA1.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4V @ 270µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PG-TO263-3-2
  • Серии
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.2 mOhm @ 100A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    300W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Другие названия
    IPB072N15N3 G E8187
    IPB072N15N3 G E8187-ND
    IPB072N15N3 G E8187TR-ND
    IPB072N15N3GE8187ATMA1TR
    SP000938816
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    5470pF @ 75V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    93nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    8V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    150V
  • Подробное описание
    N-Channel 150V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    100A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с IPB072N15N3GE8187ATMA1.
IPB083N10N3GATMA1

IPB083N10N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB06N03LA G

IPB06N03LA G

Описание: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB06N03LB

IPB06N03LB

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB073N15N5ATMA1

IPB073N15N5ATMA1

Описание: MV POWER MOS

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB06N03LB G

IPB06N03LB G

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB085N06L G

IPB085N06L G

Описание: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB067N08N3GATMA1

IPB067N08N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB083N15N5LFATMA1

IPB083N15N5LFATMA1

Описание: MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB06CN10N G

IPB06CN10N G

Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB081N06L3GATMA1

IPB081N06L3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB08CN10N G

IPB08CN10N G

Описание: MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB06N03LA

IPB06N03LA

Описание: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB080N06N G

IPB080N06N G

Описание: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB065N15N3GE8187ATMA1

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB080N03LGATMA1

IPB080N03LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB08CNE8N G

IPB08CNE8N G

Описание: MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB070N06L G

IPB070N06L G

Описание: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB06N03LAT

IPB06N03LAT

Описание: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPB075N04LGATMA1

IPB075N04LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.