Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPB107N20N3GATMA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5321947IPB107N20N3GATMA1 Image.Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

IPB107N20N3GATMA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1000+
$4.015
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPB107N20N3GATMA1
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4V @ 270µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    D²PAK (TO-263AB)
  • Серии
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.7 mOhm @ 88A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    300W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Другие названия
    IPB107N20N3 G
    IPB107N20N3 G-ND
    IPB107N20N3 GTR
    IPB107N20N3 GTR-ND
    IPB107N20N3G
    IPB107N20N3GATMA1TR
    SP000676406
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    7100pF @ 100V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    87nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    200V
  • Подробное описание
    N-Channel 200V 88A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    88A (Tc)
IPB100N06S2L05ATMA1

IPB100N06S2L05ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB110N06L G

IPB110N06L G

Описание: MOSFET N-CH 60V 78A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB100N08S2L07ATMA1

IPB100N08S2L07ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB100N08S207ATMA1

IPB100N08S207ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB117N20NFDATMA1

IPB117N20NFDATMA1

Описание: MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB10N03LB

IPB10N03LB

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB11N03LA G

IPB11N03LA G

Описание: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB114N03L G

IPB114N03L G

Описание: MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB100N12S305ATMA1

IPB100N12S305ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB100N06S3L-03

IPB100N06S3L-03

Описание: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB100N10S305ATMA1

IPB100N10S305ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB108N15N3GATMA1

IPB108N15N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB11N03LA

IPB11N03LA

Описание: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB107N20NAATMA1

IPB107N20NAATMA1

Описание: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB100N06S2L05ATMA2

IPB100N06S2L05ATMA2

Описание: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB100N06S3-04

IPB100N06S3-04

Описание: MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB10N03LB G

IPB10N03LB G

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB100N06S3-03

IPB100N06S3-03

Описание: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB100N06S3L-04

IPB100N06S3L-04

Описание: MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB110N20N3LFATMA1

IPB110N20N3LFATMA1

Описание: MOSFET N-CH 200 D2PAK-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти