Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPB10N03LB G
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
3644774IPB10N03LB G Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB10N03LB G

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPB10N03LB G
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2V @ 20µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PG-TO263-3
  • Серии
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.6 mOhm @ 50A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    58W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
  • Другие названия
    IPB10N03LB G-ND
    IPB10N03LBG
    IPB10N03LBGXT
    SP000103305
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    1639pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    13nC @ 5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    50A (Tc)
IPB100N06S3L-04

IPB100N06S3L-04

Описание: MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB110N06L G

IPB110N06L G

Описание: MOSFET N-CH 60V 78A TO-263

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB100N08S2L07ATMA1

IPB100N08S2L07ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB10N03LB

IPB10N03LB

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB100N06S3L-03

IPB100N06S3L-03

Описание: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB100N12S305ATMA1

IPB100N12S305ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB120N04S3-02

IPB120N04S3-02

Описание: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB100N10S305ATMA1

IPB100N10S305ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB108N15N3GATMA1

IPB108N15N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB107N20N3GATMA1

IPB107N20N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

Производители: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB120N04S401ATMA1

IPB120N04S401ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB117N20NFDATMA1

IPB117N20NFDATMA1

Описание: MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB11N03LA G

IPB11N03LA G

Описание: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB100N08S207ATMA1

IPB100N08S207ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB11N03LA

IPB11N03LA

Описание: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB120N04S402ATMA1

IPB120N04S402ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB114N03L G

IPB114N03L G

Описание: MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB120N03S4L03ATMA1

IPB120N03S4L03ATMA1

Описание: MOSFET N-CH TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB110N20N3LFATMA1

IPB110N20N3LFATMA1

Описание: MOSFET N-CH 200 D2PAK-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPB107N20NAATMA1

IPB107N20NAATMA1

Описание: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти