Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPI028N08N3GHKSA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
3612965IPI028N08N3GHKSA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI028N08N3GHKSA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPI028N08N3GHKSA1
  • Изготовитель / Производитель
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    IPI028N08N3GHKSA1.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3.5V @ 270µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PG-TO262-3
  • Серии
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.8 mOhm @ 100A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    300W (Tc)
  • упаковка
    Tube
  • Упаковка /
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Другие названия
    IPI028N08N3 G
    IPI028N08N3 G-ND
    SP000395160
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Through Hole
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    14200pF @ 40V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    206nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    80V
  • Подробное описание
    N-Channel 80V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    100A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с IPI028N08N3GHKSA1.
IPI03N03LA

IPI03N03LA

Описание: MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI029N06NAKSA1

IPI029N06NAKSA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI037N08N3GXKSA1

IPI037N08N3GXKSA1

Описание: MOSFET N-CH 80V 100A

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI040N06N3GHKSA1

IPI040N06N3GHKSA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI032N06N3GAKSA1

IPI032N06N3GAKSA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 120A

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI041N12N3GAKSA1

IPI041N12N3GAKSA1

Описание: MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI045N10N3GXK

IPI045N10N3GXK

Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI020N06NAKSA1

IPI020N06NAKSA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI037N06L3GHKSA1

IPI037N06L3GHKSA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI032N06N3 G

IPI032N06N3 G

Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI045N10N3GXKSA1

IPI045N10N3GXKSA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI023NE7N3 G

IPI023NE7N3 G

Описание: MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI030N10N3GHKSA1

IPI030N10N3GHKSA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI024N06N3GXKSA1

IPI024N06N3GXKSA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 120A

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI040N06N3GXKSA1

IPI040N06N3GXKSA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 90A

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI04CN10N G

IPI04CN10N G

Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI037N08N3GHKSA1

IPI037N08N3GHKSA1

Описание: MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI030N10N3GXKSA1

IPI030N10N3GXKSA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 100A

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI024N06N3GHKSA1

IPI024N06N3GHKSA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI034NE7N3 G

IPI034NE7N3 G

Описание: MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.