International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF630NLPBF

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

IRF630NLPBF
Изготовитель / Производитель

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

IRF630NLPBF.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-262
Серии

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

300 mOhm @ 5.4A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

82W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Другие названия

*IRF630NLPBF
SP001559690
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

575pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

35nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

200V
Подробное описание

N-Channel 200V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Through Hole TO-262
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

9.3A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с IRF630NLPBF.

IRF630NSTRRPBF

Описание: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

IRF630NLPBF

Онлайн - запрос

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

Выберите язык

Текущий язык