IRF630FP

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

2000+

$0.642

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

IRF630FP
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

IRF630FP.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-220FP
Серии

MESH OVERLAY™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

400 mOhm @ 4.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

30W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-220-3 Full Pack
Другие названия

497-12489-5
IRF630FP-ND
Рабочая Температура

-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

700pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

45nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

200V
Подробное описание

N-Channel 200V 9A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

9A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с IRF630FP.

IRF630BTSTU_FP001

Описание: MOSFET N-CH 200V 9A TO-220

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

IRF630FP

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык