International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6607

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

IRF6607
Изготовитель / Производитель

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Содержит несоответствие свинца / RoHS
Спецификация

IRF6607.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (макс.)

±12V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

DIRECTFET™ MT
Серии

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3 mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

3.6W (Ta), 42W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

DirectFET™ Isometric MT
Другие названия

IRF6607-ND
IRF6607TR
SP001532212
Рабочая Температура

-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

3 (168 Hours)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

6930pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

75nC @ 4.5V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 7V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

30V
Подробное описание

N-Channel 30V 27A (Ta), 94A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

27A (Ta), 94A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с IRF6607.

IRF6609

Описание: MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

IRF6607

Онлайн - запрос

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

Выберите язык

Текущий язык