International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6608TR1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

IRF6608TR1
Изготовитель / Производитель

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Содержит несоответствие свинца / RoHS
Спецификация

IRF6608TR1.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (макс.)

±12V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

DIRECTFET™ ST
Серии

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 13A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

2.1W (Ta), 42W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

DirectFET™ Isometric ST
Другие названия

SP001528864
Рабочая Температура

-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

3 (168 Hours)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

2120pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

24nC @ 4.5V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

30V
Подробное описание

N-Channel 30V 13A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

13A (Ta), 55A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с IRF6608TR1.

IRF6609TR1

Описание: MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

IRF6608TR1

Онлайн - запрос

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

Выберите язык

Текущий язык