Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > MP6M12TCR
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
3626623MP6M12TCR Image.LAPIS Semiconductor

MP6M12TCR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    MP6M12TCR
  • Изготовитель / Производитель
    LAPIS Technology
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    MP6M12TCR.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Поставщик Упаковка устройства
    MPT6
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    42 mOhm @ 5A, 10V
  • Мощность - Макс
    2W
  • упаковка
    Original-Reel®
  • Упаковка /
    6-SMD, Flat Leads
  • Другие названия
    MP6M12TCRDKR
  • Рабочая Температура
    150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    250pF @ 10V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    4nC @ 5V
  • Тип FET
    N and P-Channel
  • FET Характеристика
    Logic Level Gate
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A 2W Surface Mount MPT6
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    5A
  • Номер базового номера
    *M12

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с MP6M12TCR.
MP6Z13TR

MP6Z13TR

Описание: TRANS NPN/PNP 50V 3A 6MPT

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
MP6KE75CAE3

MP6KE75CAE3

Описание: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
MP6KE9.1A

MP6KE9.1A

Описание: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
MP6KE82CAE3

MP6KE82CAE3

Описание: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
MP6KE91A

MP6KE91A

Описание: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
MP6KE91AE3

MP6KE91AE3

Описание: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
MP6KE9.1AE3

MP6KE9.1AE3

Описание: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
MP6KE82AE3

MP6KE82AE3

Описание: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
MP6KE91CAE3

MP6KE91CAE3

Описание: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
MP6M14TCR

MP6M14TCR

Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
MP6KE8.2AE3

MP6KE8.2AE3

Описание: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
MP6KE9.1CA

MP6KE9.1CA

Описание: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
MP6KE8.2A

MP6KE8.2A

Описание: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
MP6KE8.2CAE3

MP6KE8.2CAE3

Описание: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
MP6KE8.2CA

MP6KE8.2CA

Описание: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
MP6KE82A

MP6KE82A

Описание: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
MP6KE82CA

MP6KE82CA

Описание: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
MP6KE9.1CAE3

MP6KE9.1CAE3

Описание: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
MP6M11TCR

MP6M11TCR

Описание: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
MP6KE91CA

MP6KE91CA

Описание: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.