Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Защита цепи > Телевизоры - диоды > MP6KE91CA
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
415240

MP6KE91CA

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    MP6KE91CA
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Содержит несоответствие свинца / RoHS
  • Напряжение - зажим (макс.) @ Ipp
    86.5V
  • Напряжение - отрыва
    1
  • Напряжение - пробой (мин.)
    77.8V
  • Напряжение - Разбивка
    T-18
  • Тип
    Zener
  • Серии
    Military, MIL-PRF-19500
  • Статус RoHS
    Bulk
  • Пульсирующий ток - Низкая частота
    General Purpose
  • Защита линий электропередач
    600W
  • Мощность - пиковый импульс
    4.8A
  • поляризация
    T-18, Axial
  • Другие названия
    1086-7152
    1086-7152-MIL
  • Рабочая Температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Through Hole
  • Уровень влажности (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Номер детали производителя
    MP6KE91CA
  • Описание
    TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18
  • Ток - Пиковый импульс (10 / 1000μs)
    125V
  • Емкость @ Частота
    -
  • Двунаправленные каналы
    No
MP6KE8.2A

MP6KE8.2A

Описание: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE9.1A

MP6KE9.1A

Описание: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6M11TCR

MP6M11TCR

Описание: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
MP6KE9.1CA

MP6KE9.1CA

Описание: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE9.1AE3

MP6KE9.1AE3

Описание: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6Z13TR

MP6Z13TR

Описание: TRANS NPN/PNP 50V 3A 6MPT

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
MP6KE9.1CAE3

MP6KE9.1CAE3

Описание: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE82A

MP6KE82A

Описание: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE82CA

MP6KE82CA

Описание: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE91CAE3

MP6KE91CAE3

Описание: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE8.2CA

MP6KE8.2CA

Описание: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE8.2CAE3

MP6KE8.2CAE3

Описание: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6M14TCR

MP6M14TCR

Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
MP6KE8.2AE3

MP6KE8.2AE3

Описание: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE91AE3

MP6KE91AE3

Описание: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE75CAE3

MP6KE75CAE3

Описание: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE91A

MP6KE91A

Описание: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE82CAE3

MP6KE82CAE3

Описание: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6KE82AE3

MP6KE82AE3

Описание: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
MP6M12TCR

MP6M12TCR

Описание: MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти