Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > RS3E075ATTB
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1507785RS3E075ATTB Image.LAPIS Semiconductor

RS3E075ATTB

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
2500+
$0.333
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    RS3E075ATTB
  • Изготовитель / Производитель
    LAPIS Technology
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    1.RS3E075ATTB.pdf
    2.RS3E075ATTB.pdf
  • Модель ECAD
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-SOP
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    23.5 mOhm @ 7.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    2W (Ta)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Другие названия
    RS3E075ATTBTR
  • Рабочая Температура
    150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    1250pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • Тип FET
    P-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    P-Channel 30V 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    -

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip объявляет о 500 увольнениях,...

2024/12/4

Quanta: AI -спрос продолжает остават...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung значительно снижает исполь...

2024/12/2

Vishay инвестирует 51 миллион фунто...

2024/11/29
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с RS3E075ATTB.
RS3G-E3/57T

RS3G-E3/57T

Описание: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
RS3DB-13-F

RS3DB-13-F

Описание: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
RS3G-13

RS3G-13

Описание: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
RS3DHE3_A/H

RS3DHE3_A/H

Описание: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
RS3DHE3/9AT

RS3DHE3/9AT

Описание: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
RS3G-M3/57T

RS3G-M3/57T

Описание: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
RS3D-M3/9AT

RS3D-M3/9AT

Описание: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
RS3G R7G

RS3G R7G

Описание: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RFQ
RS3G-E3/9AT

RS3G-E3/9AT

Описание: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
RS3E095BNGZETB

RS3E095BNGZETB

Описание: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
RS3DHR7G

RS3DHR7G

Описание: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RFQ
RS3DHE3/57T

RS3DHE3/57T

Описание: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
RS3DHM6G

RS3DHM6G

Описание: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RFQ
RS3G V7G

RS3G V7G

Описание: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RFQ
RS3DHE3_A/I

RS3DHE3_A/I

Описание: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
RS3D-M3/57T

RS3D-M3/57T

Описание: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
RS3E135BNGZETB

RS3E135BNGZETB

Описание: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
RS3G-13-F

RS3G-13-F

Описание: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
RS3DB-13

RS3DB-13

Описание: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
RS3G M6G

RS3G M6G

Описание: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиНовостиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.