Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > RS3E135BNGZETB
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5328174

RS3E135BNGZETB

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$1.12
10+
$0.988
100+
$0.781
500+
$0.605
1000+
$0.478
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    RS3E135BNGZETB
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-SOP
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.6 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    2W (Tc)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Другие названия
    RS3E135BNGZETBCT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    680pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    8.3nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 9.5A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    9.5A (Ta)
RS3DHE3/57T

RS3DHE3/57T

Описание: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RS3DHE3/9AT

RS3DHE3/9AT

Описание: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RS3G-M3/57T

RS3G-M3/57T

Описание: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RS3G-13

RS3G-13

Описание: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RS3G-E3/9AT

RS3G-E3/9AT

Описание: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RS3E095BNGZETB

RS3E095BNGZETB

Описание: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RS3DB-13

RS3DB-13

Описание: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RS3G-M3/9AT

RS3G-M3/9AT

Описание: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RS3G/7T

RS3G/7T

Описание: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RS3DHE3_A/H

RS3DHE3_A/H

Описание: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RS3DHR7G

RS3DHR7G

Описание: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RS3DB-13-F

RS3DB-13-F

Описание: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RS3G-13-F

RS3G-13-F

Описание: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RS3E075ATTB

RS3E075ATTB

Описание: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RS3DHE3_A/I

RS3DHE3_A/I

Описание: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RS3G R7G

RS3G R7G

Описание: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RS3DHM6G

RS3DHM6G

Описание: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RS3G M6G

RS3G M6G

Описание: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RS3G-E3/57T

RS3G-E3/57T

Описание: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RS3G V7G

RS3G V7G

Описание: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти