Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Интегральные схемы (ICs) > Память > EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2428592

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1000+
$14.864
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR
  • Изготовитель / Производитель
    Micron Technology
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Время цикла записи - слово, страница
    -
  • Напряжение тока - поставка
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Технологии
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Серии
    -
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Другие названия
    EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR-ND
    EDB4432BBBJ-1DAUT-F-RTR
  • Рабочая Температура
    -40°C ~ 125°C (TC)
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип памяти
    Volatile
  • Размер памяти
    4Gb (128M x 32)
  • Интерфейс памяти
    Parallel
  • Формат памяти
    DRAM
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Подробное описание
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz
  • Тактовая частота
    533MHz

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR.
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
EDB4432BBBH-1D-F-R TR

EDB4432BBBH-1D-F-R TR

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR

EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
EDB4432BBPA-1D-F-D

EDB4432BBPA-1D-F-D

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
EDB4432BBBJ-1D-F-R

EDB4432BBBJ-1D-F-R

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
EDB4432BBPA-1D-F-R TR

EDB4432BBPA-1D-F-R TR

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
EDB4432BBBJ-1D-F-D

EDB4432BBBJ-1D-F-D

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
EDB5432BEBH-1DIT-F-D

EDB5432BEBH-1DIT-F-D

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
EDB4432BBPE-1D-F-D

EDB4432BBPE-1D-F-D

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
EDB4432BBBH-1D-F-D

EDB4432BBBH-1D-F-D

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.