Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Интегральные схемы (ICs) > Память > EDB4432BBPE-1D-F-D
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1060485

EDB4432BBPE-1D-F-D

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1190+
$9.50
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    EDB4432BBPE-1D-F-D
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Время цикла записи - слово, страница
    -
  • Напряжение тока - поставка
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Технологии
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Серии
    -
  • упаковка
    Tray
  • Рабочая Температура
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип памяти
    Volatile
  • Размер памяти
    4Gb (128M x 32)
  • Интерфейс памяти
    Parallel
  • Формат памяти
    DRAM
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Подробное описание
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz
  • Тактовая частота
    533MHz
EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR

EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
EDB4432BBPA-1D-F-D

EDB4432BBPA-1D-F-D

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
EDB5432BEPA-1DIT-F-R

EDB5432BEPA-1DIT-F-R

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
EDB5432BEBH-1DIT-F-D

EDB5432BEBH-1DIT-F-D

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
EDB5432BEPA-1DIT-F-D

EDB5432BEPA-1DIT-F-D

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
EDB4432BBPA-1D-F-R TR

EDB4432BBPA-1D-F-R TR

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
EDB4432BBBJ-1D-F-D

EDB4432BBBJ-1D-F-D

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
EDB4432BBBJ-1D-F-R

EDB4432BBBJ-1D-F-R

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти