Главная > Продукты > Интегрированные цепи (ICS) > Память > MT40A1G4RH-075E:B TR
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6504770MT40A1G4RH-075E:B TR Image.Micron Technology

MT40A1G4RH-075E:B TR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
2000+
$14.128
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    MT40A1G4RH-075E:B TR
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Время цикла записи - слово, страница
    -
  • Напряжение тока - поставка
    1.14 V ~ 1.26 V
  • Технологии
    SDRAM - DDR4
  • Поставщик Упаковка устройства
    78-FBGA (9x10.5)
  • Серии
    -
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    78-TFBGA
  • Другие названия
    557-1725-2
    MT40A1G4RH-075E:B TR-ND
  • Рабочая Температура
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип памяти
    Volatile
  • Размер памяти
    4Gb (1G x 4)
  • Интерфейс памяти
    Parallel
  • Формат памяти
    DRAM
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Подробное описание
    SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (1G x 4) Parallel 1.33GHz 78-FBGA (9x10.5)
  • Тактовая частота
    1.33GHz
MT40A1G16WBU-075E:B

MT40A1G16WBU-075E:B

Описание: IC DRAM 16G PARALLEL 1.33GHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT40A1G16WBU-083E:B TR

MT40A1G16WBU-083E:B TR

Описание: IC DRAM 16G PARALLEL 96FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT40A1G8SA-075:H

MT40A1G8SA-075:H

Описание: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT40A1G8SA-062E:E

MT40A1G8SA-062E:E

Описание: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT40A1G8SA-075:E TR

MT40A1G8SA-075:E TR

Описание: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT40A1G16WBU-075E:B TR

MT40A1G16WBU-075E:B TR

Описание: IC DRAM 16G PARALLEL 1.33GHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT40A1G8SA-062E IT:E TR

MT40A1G8SA-062E IT:E TR

Описание: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT40A1G8SA-075:E

MT40A1G8SA-075:E

Описание:

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT40A1G16WBU-083E:B

MT40A1G16WBU-083E:B

Описание: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT40A1G16HBA-083E:A TR

MT40A1G16HBA-083E:A TR

Описание: IC DRAM 16G PARALLEL 96FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT40A1G4HX-083E:A

MT40A1G4HX-083E:A

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT40A1G4RH-075E:B

MT40A1G4RH-075E:B

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT40A1G8PM-083E:A

MT40A1G8PM-083E:A

Описание: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT40A1G8PM-083E:A TR

MT40A1G8PM-083E:A TR

Описание: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT4-0R1F1

MT4-0R1F1

Описание: RES 0.1 OHM 4.5W 1% AXIAL

Производители: Riedon
Быть в наличии
MT40A1G8SA-062E:E TR

MT40A1G8SA-062E:E TR

Описание: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT40A1G16HBA-083E:A

MT40A1G16HBA-083E:A

Описание: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT40A1G4RH-083E:B

MT40A1G4RH-083E:B

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT40A1G4HX-093E:A

MT40A1G4HX-093E:A

Описание: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT40A1G8SA-062E IT:E

MT40A1G8SA-062E IT:E

Описание: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти