Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Интегральные схемы (ICs) > Память > MT47H32M8BP-3:B TR
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
3712864MT47H32M8BP-3:B TR Image.Micron Technology

MT47H32M8BP-3:B TR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1000+
$10.518
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    MT47H32M8BP-3:B TR
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Время цикла записи - слово, страница
    15ns
  • Напряжение тока - поставка
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Технологии
    SDRAM - DDR2
  • Поставщик Упаковка устройства
    60-FBGA (8x12)
  • Серии
    -
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    60-FBGA
  • Другие названия
    557-1050-2
  • Рабочая Температура
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип памяти
    Volatile
  • Размер памяти
    256Mb (32M x 8)
  • Интерфейс памяти
    Parallel
  • Формат памяти
    DRAM
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Подробное описание
    SDRAM - DDR2 Memory IC 256Mb (32M x 8) Parallel 333MHz 450ps 60-FBGA (8x12)
  • Тактовая частота
    333MHz
  • Номер базового номера
    MT47H32M8B
  • Время доступа
    450ps
MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT47H32M8BP-37E:B TR

MT47H32M8BP-37E:B TR

Описание: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT47H512M4EB-25E:C

MT47H512M4EB-25E:C

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT47H32M8BP-5E:B

MT47H32M8BP-5E:B

Описание: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT47H32M16NF-25E IT:H TR

MT47H32M16NF-25E IT:H TR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT47H32M16NF-25E IT:H

MT47H32M16NF-25E IT:H

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT47H512M4EB-3:C

MT47H512M4EB-3:C

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT47H32M8BP-37V:B

MT47H32M8BP-37V:B

Описание: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT47H32M16NF-25E AIT:H

MT47H32M16NF-25E AIT:H

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT47H32M16NF-25E AAT:H

MT47H32M16NF-25E AAT:H

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT47H32M16U67A3WC1

MT47H32M16U67A3WC1

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL WAFER

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT47H512M4THN-25E:M TR

MT47H512M4THN-25E:M TR

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT47H512M4EB-25E:C TR

MT47H512M4EB-25E:C TR

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT47H32M16NF-25E AUT:H

MT47H32M16NF-25E AUT:H

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT47H512M4THN-37E:E TR

MT47H512M4THN-37E:E TR

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT47H32M8BP-5E:B TR

MT47H32M8BP-5E:B TR

Описание: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT47H512M4EB-187E:C

MT47H512M4EB-187E:C

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT47H32M16NF-25E:H

MT47H32M16NF-25E:H

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT47H512M4THN-25E:M

MT47H512M4THN-25E:M

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT47H512M4THN-25E:H

MT47H512M4THN-25E:H

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти