MT47H512M4THN-25E:M

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

1518+

$23.25

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

MT47H512M4THN-25E:M
Изготовитель / Производитель

Micron Technology
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

MT47H512M4THN-25E:M.pdf
Время цикла записи - слово, страница

15ns
Напряжение тока - поставка

1.7 V ~ 1.9 V
Технологии

SDRAM - DDR2
Серии

-
Рабочая Температура

0°C ~ 85°C (TC)
Уровень чувствительности влаги (MSL)

3 (168 Hours)
Тип памяти

Volatile
Размер памяти

2Gb (512M x 4)
Интерфейс памяти

Parallel
Формат памяти

DRAM
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Подробное описание

SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 400MHz 400ps
Тактовая частота

400MHz
Время доступа

400ps

Ниже приведены продукты, связанные с MT47H512M4THN-25E:M.

MT47H512M4THN-25E:H

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Производители: Micron Technology

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

MT47H512M4THN-25E:M

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

Последняя кремниевая оптическа...

Индустрия восстанавливается ме...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Поставщик: большое количество к...

Тайвань, выходной стоимость пол...

Расширение производства панеле...

Amazon увеличивает усилия по созда...

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Южная Корея планирует ввести За...

Выберите язык

Текущий язык