Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Диоды - выпрямители - сингл > JAN1N5621
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6151836

JAN1N5621

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
139+
$7.326
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    JAN1N5621
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Содержит несоответствие свинца / RoHS
  • Спецификация
  • Напряжение - Пиковое обратное (Макс)
    Standard
  • Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если
    1A
  • Серии
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Статус RoHS
    Bulk
  • Обратное время восстановления (ТИР)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Сопротивление @ Если, F
    -
  • поляризация
    A, Axial
  • Другие названия
    1086-2112
    1086-2112-MIL
  • Рабочая температура - Соединение
    300ns
  • Тип установки
    Through Hole
  • Уровень влажности (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    8 Weeks
  • Номер детали производителя
    JAN1N5621
  • Расширенное описание
    Diode Standard 800V 1A Through Hole
  • Диод Конфигурация
    500nA @ 800V
  • Описание
    DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
  • Ток - Обратный утечки @ Vr
    1.6V @ 3A
  • Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode)
    800V
  • Емкостной @ В.Р., F
    -65°C ~ 175°C
JAN1N5616

JAN1N5616

Описание: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Производители: Microsemi
Быть в наличии
JAN1N5619

JAN1N5619

Описание: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Производители: Microsemi
Быть в наличии
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Описание: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Производители: Microsemi
Быть в наличии
JAN1N5632A

JAN1N5632A

Описание: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

Производители: Microsemi
Быть в наличии
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Описание: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Производители: Microsemi
Быть в наличии
JAN1N5629A

JAN1N5629A

Описание: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Производители: Microsemi
Быть в наличии
JAN1N5639A

JAN1N5639A

Описание: TVS DIODE 15.3V 25.2V DO13

Производители: Microsemi
Быть в наличии
JAN1N5635A

JAN1N5635A

Описание: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

Производители: Microsemi
Быть в наличии
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Производители: Microsemi
Быть в наличии
JAN1N5620

JAN1N5620

Описание: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
JAN1N5617

JAN1N5617

Описание: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Производители: Microsemi
Быть в наличии
JAN1N5618

JAN1N5618

Описание: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Описание: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Производители: Microsemi
Быть в наличии
JAN1N5623US

JAN1N5623US

Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Производители: Microsemi
Быть в наличии
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Описание: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Производители: Microsemi
Быть в наличии
JAN1N5622

JAN1N5622

Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Производители: Microsemi
Быть в наличии
JAN1N5623

JAN1N5623

Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Производители: Microsemi
Быть в наличии
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Описание: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Производители: Microsemi
Быть в наличии
JAN1N5637A

JAN1N5637A

Описание: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

Производители: Microsemi
Быть в наличии
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Описание: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Производители: Microsemi
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти