JAN1N5632A

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

JAN1N5632A
Изготовитель / Производитель

Microsemi
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Содержит несоответствие свинца / RoHS
Спецификация

JAN1N5632A.pdf
Напряжение - Обратный STANDOFF (типовое)

7.78V
Напряжение - зажим (макс.) @ Ipp

13.4V
Напряжение - пробой (мин.)

8.65V
Однонаправленные каналы

1
Тип

Zener
Поставщик Упаковка устройства

DO-13 (DO-202AA)
Серии

Military, MIL-PRF-19500/500
Защита линий электропередач

No
Мощность - пиковый импульс

1500W (1.5kW)
упаковка

Bulk
Упаковка /

DO-13
Другие названия

1086-15777
1086-15777-MIL
Рабочая Температура

-65°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Ток - Пиковый импульс (10 / 1000μs)

112A
Емкость @ Частота

-
Приложения

General Purpose

Ниже приведены продукты, связанные с JAN1N5632A.

JAN1N5620US

Описание: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Производители: Microsemi

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

JAN1N5632A

Онлайн - запрос

AMD запускает строительство втор...

Графическая карта NVIDIA RTX 5090 имее...

Антропик получает еще 4 миллиард...

Полу: продажи IC увеличиваются на...

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

Последняя кремниевая оптическа...

Индустрия восстанавливается ме...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Поставщик: большое количество к...

Тайвань, выходной стоимость пол...

Расширение производства панеле...

Выберите язык

Текущий язык