PHD63NQ03LT,118

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

PHD63NQ03LT,118
Изготовитель / Производитель

Freescale / NXP Semiconductors
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

PHD63NQ03LT,118.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

DPAK
Серии

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

111W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Другие названия

934057020118
PHD63NQ03LT/T3
PHD63NQ03LT/T3-ND
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

920pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

9.6nC @ 5V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

30V
Подробное описание

N-Channel 30V 68.9A (Tc) 111W (Tc) Surface Mount DPAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

68.9A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с PHD63NQ03LT,118.

PHD34NQ10T,118

Описание: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

Производители: NXP Semiconductors / Freescale

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

PHD63NQ03LT,118

Онлайн - запрос

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Выберите язык

Текущий язык