PHD38N02LT,118

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

10000+

$0.215

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

PHD38N02LT,118
Изготовитель / Производитель

Nexperia
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

PHD38N02LT,118.pdf
Модель ECAD
Vgs (й) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (макс.)

±12V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

DPAK
Серии

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 25A, 5V
Рассеиваемая мощность (макс)

57.6W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Другие названия

934057587118
PHD38N02LT /T3
PHD38N02LT /T3-ND
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

16 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

800pF @ 20V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

15.1nC @ 5V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

5V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

20V
Подробное описание

N-Channel 20V 44.7A (Tc) 57.6W (Tc) Surface Mount DPAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

44.7A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с PHD38N02LT,118.

PHD82NQ03LT,118

Описание: MOSFET N-CH 30V 75A DPAK

Производители: NXP Semiconductors / Freescale

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

PHD38N02LT,118

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

New ICs From Rohm, Toshiba, and Nexperia Target Automotive ...

Выберите язык

Текущий язык