PMG45UN,115

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

PMG45UN,115
Изготовитель / Производитель

Freescale / NXP Semiconductors
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 20V 3A SOT363
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

PMG45UN,115.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

6-TSSOP
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 3A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс)

375mW (Ta), 4.35W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Другие названия

568-10790-2
934066614115
PMG45UN,115-ND
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

184pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

3.3nC @ 4.5V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Слить к источнику напряжения (VDSS)

20V
Подробное описание

N-Channel 20V 3A (Ta) 375mW (Ta), 4.35W (Tc) Surface Mount 6-TSSOP
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

3A (Ta)

Ниже приведены продукты, связанные с PMG45UN,115.

PMGD400UN,115

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP

Производители: NXP Semiconductors / Freescale

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

PMG45UN,115

Онлайн - запрос

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Выберите язык

Текущий язык