Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы, заранее > DMG563H50R
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
743753DMG563H50R Image.Panasonic

DMG563H50R

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$0.53
10+
$0.419
25+
$0.354
100+
$0.288
250+
$0.238
500+
$0.197
1000+
$0.148
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    DMG563H50R
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 500µA, 10mA
  • Тип транзистор
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Поставщик Упаковка устройства
    SMini5-F3-B
  • Серии
    -
  • Резистор - основание эмиттера (R2)
    47 kOhms
  • Резистор - основание (R1)
    47 kOhms, 10 kOhms
  • Мощность - Макс
    150mW
  • упаковка
    Original-Reel®
  • Упаковка /
    6-SMD (5 Leads), Flat Lead
  • Другие названия
    DMG563H50RDKR
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    11 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - Переход
    -
  • Подробное описание
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini5-F3-B
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    500nA
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    100mA
  • Номер базового номера
    DMG563
DMG5802LFX-7

DMG5802LFX-7

Описание:

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMG564H30R

DMG564H30R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Производители: Panasonic
Быть в наличии
DMG563010R

DMG563010R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Производители: Panasonic
Быть в наличии
DMG4N65CT

DMG4N65CT

Описание: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMG504010R

DMG504010R

Описание: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6

Производители: Panasonic
Быть в наличии
DMG564030R

DMG564030R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Производители: Panasonic
Быть в наличии
DMG563H40R

DMG563H40R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Производители: Panasonic
Быть в наличии
DMG563020R

DMG563020R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Производители: Panasonic
Быть в наличии
DMG4N60SJ3

DMG4N60SJ3

Описание: MOSFET NCH 600V 3A TO251

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMG564040R

DMG564040R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Производители: Panasonic
Быть в наличии
DMG563H10R

DMG563H10R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Производители: Panasonic
Быть в наличии
DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

Описание: MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMG6301UDW-13

DMG6301UDW-13

Описание:

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMG564H20R

DMG564H20R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Производители: Panasonic
Быть в наличии
DMG5640N0R

DMG5640N0R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Производители: Panasonic
Быть в наличии
DMG564050R

DMG564050R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Производители: Panasonic
Быть в наличии
DMG564010R

DMG564010R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Производители: Panasonic
Быть в наличии
DMG4N60SK3-13

DMG4N60SK3-13

Описание: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMG4N60SCT

DMG4N60SCT

Описание: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
DMG564060R

DMG564060R

Описание: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Производители: Panasonic
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти