191221

2SK1775-E

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

2SK1775-E
Изготовитель / Производитель

Renesas Electronics Corporation
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

2SK1775-E.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

-
Vgs (макс.)

±30V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-3P
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6 Ohm @ 4A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

60W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-3P-3, SC-65-3
Рабочая Температура

150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1730pF @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

900V
Подробное описание

N-Channel 900V 8A (Ta) 60W (Tc) Through Hole TO-3P
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

8A (Ta)

Ниже приведены продукты, связанные с 2SK1775-E.

2SK1339-E

Описание: MOSFET N-CH 900V 3A TO-3P

Производители: Renesas Electronics America

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

2SK1775-E

Онлайн - запрос

New MCUs Enhance Performance, Efficiency, and Security for ...

Renesas Expands ADAS SoC Portfolio with R-Car V4M and V4H S...

Выберите язык

Текущий язык