H5N2522LSTL-E

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

H5N2522LSTL-E
Изготовитель / Производитель

Renesas Electronics Corporation
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

H5N2522LSTL-E.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

-
Vgs (макс.)

±30V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

4-LDPAK
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

75W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

SC-83
Рабочая Температура

150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1300pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

47nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

250V
Подробное описание

N-Channel 250V 20A (Ta) 75W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

20A (Ta)

Ниже приведены продукты, связанные с H5N2522LSTL-E.

STB150NF04

Описание: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

H5N2522LSTL-E

Онлайн - запрос

New MCUs Enhance Performance, Efficiency, and Security for ...

Renesas Expands ADAS SoC Portfolio with R-Car V4M and V4H S...

Выберите язык

Текущий язык