NP75P03YDG-E1-AY

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

NP75P03YDG-E1-AY
Изготовитель / Производитель

Renesas Electronics Corporation
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

NP75P03YDG-E1-AY.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

8-HSON
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.2 mOhm @ 37.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

1W (Ta), 138W (Tc)
упаковка

Cut Tape (CT)
Упаковка /

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Другие названия

NP75P03YDG-E1-AYCT
NP75P03YDGE1AY
Рабочая Температура

175°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

4800pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

141nC @ 10V
Тип FET

P-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

30V
Подробное описание

P-Channel 30V 75A (Tc) 1W (Ta), 138W (Tc) Surface Mount 8-HSON
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

75A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с NP75P03YDG-E1-AY.

NP82N04PDG-E1-AY

Описание: MOSFET N-CH 40V 82A TO-263

Производители: Renesas Electronics America

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

NP75P03YDG-E1-AY

Онлайн - запрос

New MCUs Enhance Performance, Efficiency, and Security for ...

Renesas Expands ADAS SoC Portfolio with R-Car V4M and V4H S...

Выберите язык

Текущий язык