NP80N055MHE-S18-AY

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

NP80N055MHE-S18-AY
Изготовитель / Производитель

Renesas Electronics Corporation
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

NP80N055MHE-S18-AY.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-220-3
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 40A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

1.8W (Ta), 120W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-220-3
Рабочая Температура

175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

3600pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

60nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

55V
Подробное описание

N-Channel 55V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220-3
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

80A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с NP80N055MHE-S18-AY.

NP82N04PUG(1)-E1B-AY

Описание: TRANSISTOR

Производители: Renesas Electronics America

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

NP80N055MHE-S18-AY

Онлайн - запрос

New MCUs Enhance Performance, Efficiency, and Security for ...

Renesas Expands ADAS SoC Portfolio with R-Car V4M and V4H S...

Выберите язык

Текущий язык