RJK0328DPB-01#J0

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

RJK0328DPB-01#J0
Изготовитель / Производитель

Renesas Electronics Corporation
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

RJK0328DPB-01#J0.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

LFPAK
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1 mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

65W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

SC-100, SOT-669
Другие названия

RJK0328DPB-01#J0TR
Рабочая Температура

150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

6380pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

42nC @ 4.5V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

30V
Подробное описание

N-Channel 30V 60A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount LFPAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

60A (Ta)

Ниже приведены продукты, связанные с RJK0328DPB-01#J0.

RJK0332DPB-01#J0

Описание: MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK

Производители: Renesas Electronics America

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

RJK0328DPB-01#J0

Онлайн - запрос

New MCUs Enhance Performance, Efficiency, and Security for ...

Renesas Expands ADAS SoC Portfolio with R-Car V4M and V4H S...

Выберите язык

Текущий язык